光电晶体

钛酸钡单晶具有优异的光折变性能、高的自泵浦相位共轭反射率和双波混频（光放大）效率，在光信息存储领域具有巨大的潜在应用前景。它也是一种重要的基材。

使用/应用

钛酸钡在光信息存储领域具有巨大的潜在应用前景。它也是一种重要的基材。

特点/优势

钛酸钡单晶具有优异的光折变性能、高的自泵浦相位共轭反射率和双波混频（光放大）效率。

• 参数

  主要性能参数
  晶体结构	四方Tetragona(4m):  13°C < T <132°C  a=3.99 ,c=4.04,(at 26°C)
  密度	6.02（g/cm3）
  熔点	1612℃
  生长方法	TSSG (Top Seeded Solution Growth) 顶部籽晶法
  介电常数	ea=3700 ec=135(自由状态)
  	ea=2400 ec=60 (加持状态)
  折射率		515nm		633nm		800nm
  	no	2.4912		2.4160		2.3681
  	no	2.4247		2.3630		2.3235
  透过波长范围	0.43-6.30mm
  光电系数	r1T3=8±2pm/V  rT33=105±10pm/V  rT42=1300±100pm/V
  自泵浦相位共轭反射率 （0度切）	50 - 70 % for l = 515nm(Ce: BaTiO3)
  	40 - 60 % (PureBaTiO3) for l = 515nm
  	50 - 80 % for l = 633nm(Ce: BaTiO3)
  	40 - 60 % for l = 633nm (PureBaTiO3)
  压电系数	d33 = 496 pC·N−1
  吸收损失	l: 515nm		633nm		800nm
  	a: 0.285cm-1		0.108cm-1		0.033cm-1
  晶向	<100>、<001>、<110>、<111>±0.5º
  尺寸（mm）	10×10×1/0.5mm、10×5×1/0.5mm、5×5×1/0.5mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
  抛光	单面或双面
  表面粗糙度	Surface roughness(Ra):<=10 A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
  包装	100级洁净袋，1000级超净室

  
  

• 尺寸

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