掺钇氧化锆(YSZ)单晶基片，氧化锆单晶是ZrO2中掺入钇（Y）以稳定其结构，是最早应用于高温超导薄膜的材料之一。一般使用的氧化锆需要掺入钇作为稳定剂,常见浓度有13 mol%,YSZ具有机械和化学稳定性好、成本低的特点。由于氧化锆材料具有高硬度，高强度，高韧性，极高的耐磨性及耐化学腐蚀性等等优良的物化性能，氧化锆已经在陶瓷、耐火材料、机械、电子、光学、航空航天、生物、化学等等各种领域获得广泛的应用。
掺钇氧化锆(YSZ)单晶基片主要性能参数
晶体结构 | 立方 |
晶格常数 | a=5.147 Å |
熔点（℃） | 2700 |
密度（g/cm3） | 6.0 |
硬度 | 8-8.5（mohs） |
纯度 | 99.99% |
热膨胀系数（/℃） | 10.3×10-6 |
介电常数 | ε=27 |
生长方法 | 弧熔法 |
尺寸 | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
厚度 | 0.5mm，1.0mm |
抛光 | 单面或双面 |
晶向 | <001>±0.5º |
晶面定向精度: | ±0.5° |
边缘定向精度: | 2°（特殊要求可达1°以内） |
斜切晶片 | 可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 |
Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 |
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