提供各种半导体晶圆、半导体基片衬底、高温超导薄片、磷化铟窗口片、高纯锗片
1、产品名称:真空钨丝炉2、设备结构:立式/卧式/底部升降3、加热元件:钨丝4、温度区间:500℃-2500℃5、极···
1、产品名称:真空时效炉2、设备结构:立式/卧式/底部升降3、加热元件:钼/石墨4、温度区间:500℃-1500℃5···
1、产品名称:真空退火炉2、设备结构:立式/卧式/底部升降3、加热元件:钼片/石墨4、温度区间:500℃-1500℃···
1、产品名称:真空钎焊炉2、设备结构:立式/卧式/底部升降3、加热元件:钼镧合金4、温度区间:500℃-1500℃···
1、产品名称:真空钼丝炉2、设备结构:立式/卧式/底部升降3、加热元件:钼镧合金4、温度区间:500℃-1500℃···
1、产品名称:真空热处理炉2、设备结构:立式/卧式/底部升降3、加热元件:钼丝4、温度区间:500℃-1500℃5、···
1、产品名称:真空钼丝热压炉2、设备结构:立式/卧式/底部升降3、加热元件:钼丝4、温度区间:500℃-1500℃···
1、产品名称:真空氢气炉2、设备结构:立式/卧式/底部升降3、加热元件:钼丝4、温度区间:500℃-1500℃5、极···
1、产品名称:真空脱脂烧结炉2、设备结构:立式/卧式/底部升降3、加热元件:石墨4、温度区间:500℃-2000℃···
1、产品名称:真空碳管炉2、设备结构:立式/卧式/底部升降3、加热元件:石墨4、温度区间:500℃-2500℃5、极···
1、产品名称:真空热压烧结炉2、设备结构:立式/卧式/底部升降3、加热元件:石墨/钼/钨4、温度区间:500℃-···
氮化硅陶瓷是一种无机材料,在烧结过程中不会收缩。它是以硅粉为原料制成的。首先,通过通常的成型方法制成···
钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷基板在功能陶瓷方面,其优异的耐高温性能作为感应加热管、耐火材料、发热元件使用。···
YSZ单晶 YSZ陶瓷基板 钇稳定氧化锆-
氮化铝陶瓷基板具有导热系数高、电性能好、无毒等优点。它的热膨胀系数接近硅片,是取代BeO陶瓷的理想材料。···
陶瓷基板,也称为陶瓷基板,是一种基于电子陶瓷的片材,用于形成膜电路组件和外部配件组件的支撑底座。陶瓷···
陶瓷基板 氧化铝陶瓷基板 Al2O3
AZO玻璃广泛应用于太阳能电池、生物实验、电化学实验、大型大学实验室等新的科技领域。1.规格:100*100mm,···
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